太陽(yáng)光譜選擇性吸收涂層的沉積方法
一種太陽(yáng)光譜選擇性吸收涂層的沉積方法，為將基體放置在真空濺射室內(nèi)，以金屬或硅為靶材，使吸收層濺射靶濺射出金屬或硅，在真空濺射室內(nèi)通入反應(yīng)氣體，使金屬或硅及其與反應(yīng)氣體生成的反應(yīng)物的混合物沉積在基體表面，形成吸收層，吸收層厚度為：100-150nm 優(yōu)點(diǎn)是吸收比高、發(fā)射比低、沉積速率快，生產(chǎn)效率高。
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